【摘要】一種AO工藝反硝化過程污水處理控制裝置，反 應(yīng)池體部分主要包括缺氧池、好氧池和二沉池，缺氧池內(nèi)還連 通有外碳源投加管道和外碳源投加計量泵。在缺氧池首端設(shè)置 有呼吸計傳感器，在缺氧池和好氧池內(nèi)分別置有硝酸氮傳感 器；上述傳感器經(jīng)導(dǎo)線與
【摘要】 一種用于193nm光學(xué)光刻的側(cè)墻鉻衰減型移相掩模制作方法，其工藝步驟如下：1.在熔石英襯基表面上淀積衰減型移相層薄膜；2.在衰減型移相層薄膜表面上甩電子束光刻膠，并進(jìn)行電子束光刻、顯影；3.各向異性刻蝕衰減型移相層薄膜；4.去除電子束光刻膠；5.在衰減型移相層薄膜表面上大面積淀積吸收體材料鉻；6.各向同性刻蝕吸收體材料鉻；7.清洗；8.特征尺寸及相對定位測量；9.缺陷檢測與修補(bǔ)；10.衰減型移相器檢測；11.安裝表面粘貼膜，完成側(cè)墻鉻衰減型移相掩模的制作。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區(qū)北土城西路3號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610003068.0 【申請日】2006-02-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101017322A 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】G03F1/08; G03F7/20; G03F7/30; G03F7/36; G03F1/32 【發(fā)明人】謝常青; 劉明 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種用于193nm光學(xué)光刻的側(cè)墻鉻衰減型移相掩模制作方法， 首先按照常規(guī)衰減型移相掩模的制作方法制作出常規(guī)衰減型移相掩模， 在大面積淀積吸收體材料鉻，最后各向同性刻蝕吸收體材料鉻，僅留下 衰減型移相層材料側(cè)墻鉻，從而得到用于193nm光學(xué)光刻的側(cè)墻鉻衰減 型移相掩模；其特征在于，其步驟如下： 步驟1、在熔石英襯基表面上淀積衰減型移相層薄膜； 步驟2、在衰減型移相層薄膜表面上甩電子束光刻膠，并進(jìn)行電 子束光刻、顯影； 步驟3、各向異性刻蝕衰減型移相層薄膜； 步驟4、去除電子束光刻膠； 步驟5、在衰減型移相層薄膜表面上大面積淀積吸收體材料鉻； 步驟6、各向同性刻蝕吸收體材料鉻； 步驟7、清洗； 步驟8、特征尺寸及相對定位測量； 步驟9、缺陷檢測與修補(bǔ)； 步驟10、衰減型移相器檢測； 步驟11、安裝表面粘貼膜，完成側(cè)墻鉻衰減型移相掩模的制作。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院微電子研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市朝陽區(qū)北土城西路3號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400834434U 【被引證次數(shù)】7 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】7
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