【摘要】1.請求保護的外觀設計包含色彩。 2.省略后視圖。【專利類型】外觀設計【申請人】中基酒業(北京)有限責任公司【申請人類型】企業【申請人地址】100022北京市朝陽區東三環中路39號建外SOHO6號樓1202室【申請人地區】中國【申請
【摘要】 本發明涉及半導體材料加工技術領域，特別是一種在InP基片中濕法刻蝕孔或通孔的方法。方法包括利用電化學腐蝕的方法先在通孔位置電化學腐蝕出穿透InP基片電流微孔，微孔腔與InP基片表面垂直，再采用常規化學腐蝕液進行通孔刻蝕；電化學腐蝕形成的與通孔方向一致多孔的InP。另外，提供了這種通孔的金屬化填充方法。半導體光電器件，包括：基片、光電器件有源區外延層、金屬化填充的導電通孔、背電極金屬層、正電極、焊接凸點、以及器件鈍化保護層，在掩膜層上采用常規光刻工藝光刻出通孔開口圖形，通孔形成在磷化銦InP襯底上，該半導體光電器件結構具有一正表面和一基本與其相對的背表面，光電器件采用倒扣封裝模式。 ： 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區北土城西路3號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610003070.8 【申請日】2006-02-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101017779A 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L21/306; H01L33/00; H01L31/00; H01L33/38 【發明人】李寶霞; 吳德馨; 楊成樾 【主權項內容】1.一種在磷化銦InP基片上形成孔或通孔的方法，包括利用電化學 腐蝕的方法先在通孔位置電化學腐蝕出穿透InP基片電流微孔，微孔腔 與InP基片表面垂直，再采用常規化學腐蝕液進行通孔刻蝕；其特征在 于，電化學腐蝕形成的與通孔方向一致的多孔InP。 【當前權利人】中國科學院微電子研究所 【當前專利權人地址】北京市朝陽區北土城西路3號 【統一社會信用代碼】12100000400834434U 【被引證次數】14 【被自引次數】4.0 【被他引次數】10.0 【家族被引證次數】14
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