【摘要】本發明涉及半導體器件技術領域,特別是柵體通過反偏肖特基結連接SOI動態閾值晶體管的方法。包括:SOI襯底(3);形成在SOI頂層硅膜(1)內的晶體管,其中所述晶體管包括柵電極(55),柵氧化層(51),漏電極(52),源電極(53)
【摘要】 省略其他視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】金繼華 【申請人類型】個人 【申請人地址】100012北京市朝陽區慧中北里315號D1座1808 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200630169628.0 【申請日】2006-10-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300685368D 【公開公告日】2007-08-29 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN300685368D 【授權公告日】2007-08-29 【授權公告年份】2007.0 【發明人】金繼華 【主權項內容】無 【當前權利人】金繼華 【當前專利權人地址】北京市朝陽區慧中北里315號D1座1808
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