【摘要】本外觀設(shè)計后視圖與主視圖對稱，故省略后視圖； 右視圖與左視圖對稱，故省略右視圖。【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】樸明花【申請人類型】個人【申請人地址】100028北京市朝陽區(qū)左家莊3區(qū)9號廣宸商務(wù)樓5008室【申請人地區(qū)】中國【申請人
【摘要】 高提取效率的半導體發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制備 方法屬于光電子器件制造技術(shù)領(lǐng)域，適合于多種波長的半導體 LED。現(xiàn)有LED雖然內(nèi)量子效率高，但是外量子效率很低， 只有很少的一部分光子能夠從LED出射。本發(fā)明提出在LED 外延片上生長ITO透明導電膜與 SixNy介質(zhì)膜組成的復合增透膜結(jié)構(gòu)，ITO透明導電膜的光學厚 度為二分之一LED發(fā)射波長的整數(shù)倍， SixNy介質(zhì)膜的光學厚度為四分之一LED發(fā)射波長的奇數(shù)倍， SixNy介質(zhì)膜的折射率是LED外延片最上層半導體材料的折射 率的開方。這種設(shè)計能夠在實現(xiàn)好的電流擴展的同時，將界面 反射率降到最低來實現(xiàn)最佳增透作用，極大的提高外量子效 率，使得光強增加了130％以上。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】北京工業(yè)大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100022北京市朝陽區(qū)平樂園100號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610114080.9 【申請日】2006-10-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1945862A 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100375304C 【授權(quán)公告日】2008-03-12 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L33/00; H01L33/38; H01L33/44 【發(fā)明人】沈光地; 達小麗; 朱彥旭; 徐晨; 陳依新; 黃紅娟 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種高提取效率的半導體發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括LED外延片，其特征 是在LED外延片的最上層半導體材料表面上依次生長光學厚度為1/2波長整 數(shù)倍的ITO透明導電膜(3)和光學厚度為1/4波長奇數(shù)倍的SixNy介質(zhì)膜(2)， 并且SixNy介質(zhì)膜(2)的折射率為LED外延片最上層半導體材料的折射率的開 方，P電極(1)的底部與ITO透明導電膜(3)直接接觸，P電極(1)的側(cè)壁與SixNy介質(zhì)膜(2)直接接觸。 【當前權(quán)利人】北京太時芯光科技有限公司 【當前專利權(quán)人地址】北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)地澤北街一號一層 【專利權(quán)人類型】公立 【統(tǒng)一社會信用代碼】12110000400687411U 【被引證次數(shù)】11 【被他引次數(shù)】11.0 【家族引證次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】11
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