【摘要】一種鋼筋錨固裝置及其施工方法，由錨固板(1)與帶肋鋼筋(2)的端部連接而成，其錨固板呈頭肩連體形，其肩部(11)的插入端為平面，其頭部(12)為螺帽形或螺母形；錨固板中心有與帶肋鋼筋端部外螺紋配合連接的內螺紋孔(13)。錨固板按其承
【摘要】 本發明涉及光纖通訊和微細加工技術領域，特別是一種光開關的設計及制作工藝。a.用LPCVD低壓化學氣象淀積在雙面拋光的硅片上雙面淀積低應力氮化硅厚度；b.正面光刻氮化硅懸臂梁圖形；c.RIE反應離子刻蝕形成氮化硅懸臂梁圖形；d.背面光刻出腐蝕窗口和光纖溝槽腐蝕窗口；e.RIE反應離子刻蝕形成腐蝕窗口和光纖溝槽腐蝕窗口；f.涂膠光刻并電子束蒸發金薄膜；g.顯影剝離形成金電極；h.KOH溶液在80攝氏度下腐蝕8小時形成氮化硅懸臂梁和光纖溝槽；i.光刻，電子束蒸發剝離形成下極板；j.鍵和兩片硅片。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區北土城西路3號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610002666.6 【申請日】2006-01-26 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101008694A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100451705C 【授權公告日】2009-01-14 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】G02B6/35; G03F7/00 【發明人】董立軍; 陳大鵬; 歐易; 景玉鵬 【主權項內容】1.一種光開關的設計及制作工藝，其步驟如下： a用LPCVD低壓化學氣象淀積在雙面拋光的硅片上雙面淀積低應力 氮化硅厚度； b正面光刻氮化硅懸臂梁圖形； cRIE反應離子刻蝕形成氮化硅懸臂梁圖形； d背面光刻出腐蝕窗口和光纖溝槽腐蝕窗口； eRIE反應離子刻蝕形成腐蝕窗口和光纖溝槽腐蝕窗口； f涂膠光刻并電子束蒸發金薄膜； g顯影剝離形成金電極； hKOH溶液在80攝氏度下腐蝕8小時形成氮化硅懸臂梁和光纖溝 槽； i光刻，電子束蒸發剝離形成下極板； j鍵和兩片硅片。 【當前權利人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司; 中國科學院微電子研究所 【當前專利權人地址】上海市浦東新區張江路18號; 北京市朝陽區北土城西路3號中國科學院微電子研究所 【統一社會信用代碼】12100000400834434U 【被引證次數】5 【被自引次數】2.0 【被他引次數】3.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】5
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