【摘要】一種采用負性電子抗蝕劑制備納米電極的方法。本發明的主要特征是利用電子束光刻(EBL)在各種襯底上獲得間距為納米尺度的一對或一組負性電子抗蝕劑凸立圖形，再用刻蝕工藝制備各種材料的納米電極。其主要步驟包括：在絕緣襯底上生長導電性好的金屬
【摘要】 本實用新型公開了一種簡易雜物布簍，它包括彈簧鋼絲(1)、暗槽(2)、布簍本體(3)、布簍底(4)、扣帶(5a、5b)、粘扣(6a、6b)、鉚扣(7)、布簍蓋(8)、拉鏈(9)；該簡易雜物布簍可放在地上、桌上、床頭等任何想放的地方，有蓋，可提，不僅可壓縮折疊成“餅”狀，還可拆卸清洗，制作成本低，安裝容易，非常輕便，方便攜帶。 【專利類型】實用新型 【申請人】潘永勤 【申請人類型】個人 【申請人地址】100077北京市南三環路洋橋北里38樓5單元602室 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】豐臺區 【申請號】CN200620096645.0 【申請日】2006-05-15 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2912431Y 【公開公告日】2007-06-20 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN2912431Y 【授權公告日】2007-06-20 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】A47G29/06; A47G29/00 【發明人】潘永勤 【主權項內容】1.一種簡易雜物布簍，它包括彈簧鋼絲(1)、暗槽(2)、布簍本體(3)、 布簍底(4)、扣帶(5a、5b)、粘扣(6a、6b)、鉚扣(7)、布簍蓋(8)、 拉鏈(9)；其特征在于，彈簧鋼絲(1)通過暗槽(2)與布簍本體(3)連 接。 【當前權利人】潘永勤 【當前專利權人地址】北京市南三環路洋橋北里38樓5單元602室
未經允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1775881171.html
喜歡就贊一下
