【摘要】本發(fā)明提供一種戒毒藥，其特征在于由下列重量份的原料制成：金剛藤80－150份，白蘞60－180份，汝蘭70－160份，苦葛100－200份，莪術(shù)70－150份。具有化解諸毒，破血行氣，消積散瘀，破解積聚之邪毒，歸肝經(jīng)，暖脾胃，通血脈
【摘要】 一種多孔SiO2薄膜的制備方法，采用平行極板式電容耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備，上電極極板為雙層篩狀進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，兩極板的板間距為2.5cm～3.5cm，13.56MHz的射頻信號(hào)經(jīng)匹配網(wǎng)絡(luò)聯(lián)接到上極板上，下電極極板接地，同時(shí)作為樣品臺(tái)；按常規(guī)方法對(duì)Si基片進(jìn)行前期處理后固定在樣品臺(tái)上，然后對(duì)反應(yīng)室抽真空至真空度達(dá)1.0×10－4Pa；反應(yīng)氣體SiH4與N2O氣體流量比設(shè)置為30sccm/30sccm到30sccm/65sccm之間，N2O的濃度是SiH4的5～15倍，反應(yīng)氣體壓強(qiáng)為5Pa到15Pa；設(shè)備的射頻功率為300W到450W，襯底溫度為25℃到60℃，在低溫下連續(xù)沉積獲得孔隙率在29％～47％從幾百納米到幾個(gè)微米的大面積多孔SiO2薄膜；該方法工藝步驟簡(jiǎn)單，控制性好，制備過程與半導(dǎo)體硅工藝完全兼容，適合于器件的集成制造。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】昆明物理研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】650223云南省昆明市五華區(qū)教場(chǎng)東路31號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】昆明市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】五華區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610163825.0 【申請(qǐng)日】2006-12-20 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1974839A 【公開公告日】2007-06-06 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100497730C 【授權(quán)公告日】2009-06-10 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】莫鏡輝; 劉黎明; 楊培志 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種多孔SiO2薄膜的制備方法，其特征在于步驟如下： (1)、采用平行極板式電容耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè) 備，按常規(guī)方法對(duì)Si基片進(jìn)行前期處理后固定在樣品臺(tái)上，然后對(duì)反應(yīng)室抽真 空至真空度達(dá)1.0×10-4Pa； (2)、反應(yīng)氣體SiH4與N2O氣體流量比設(shè)置為30sccm/30sccm到 30sccm/65sccm之間，N2O的濃度是SiH4的5～15倍，反應(yīng)氣體壓強(qiáng)為5Pa到 15Pa； (3)、設(shè)置等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的射頻功率為300W到450W， 襯底溫度為25℃到60℃，輸入反應(yīng)氣體經(jīng)沉積反應(yīng)得到疏松多孔SiO2薄膜。 【當(dāng)前權(quán)利人】昆明物理研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】云南省昆明市五華區(qū)教場(chǎng)東路31號(hào) 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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