【摘要】本發明涉及一種合成輔酶 Q10的方法。該方法是以輔酶 Q0氫醌和含量不低于95％的異 癸十異戊二烯基醇為原料，經脫水后，在無氧環境中經三氟甲 磺酸及其金屬鹽催化，室溫條件下縮合反應，得到輔酶 Q10氫醌，反應物不需要任何處 理，與過
【摘要】 本發明提供一種低生長束流下離子束濺射技術自組織生長Ge量子點的方法，包括離子束真空濺射，并使用氬(Ar)氣作為工作氣體，其特征在于控制低生長束流為2mA～10mA，并在束流電壓為0.2KV～1.5KV，濺射壓強為1.0×10－2Pa～4.0×10－2Pa，生長溫度為室溫～400℃的條件下，在硅(Si)基底材料上濺射沉積Ge/Si多層膜，，得到島狀自組織生長的Ge量子點結構。有效解決了常規技術制備量子點材料存在的生產成本高、工藝復雜、不利于大規模生產等不足，獲得密度大、尺寸均勻的量子點材料，其制備的量子點材料，是在價格低廉，可產業化生產的離子束濺射設備上進行的，這樣不僅可降低量子點的生產成本，還可提高生產效率，是制備量子點的一種簡易而高效的方法。 數據由馬 克 團 隊整理 【專利類型】發明申請 【申請人】云南大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】650091云南省昆明市五華區翠湖北路2號 【申請人地區】中國 【申請人城市】昆明市 【申請人區縣】五華區 【申請號】CN200610048900.9 【申請日】2006-12-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1974838A 【公開公告日】2007-06-06 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100500929C 【授權公告日】2009-06-17 【授權公告年份】2009.0 【發明人】楊宇; 宋超; 孔令德; 張曙 【主權項內容】1、一種低生長束流下離子束濺射技術自組織生長Ge量子點的方法， 包括離子束真空濺射，并使用氬(Ar)氣作為工作氣體，其特征在于控制 低生長束流為2mA～10mA，并在束流電壓為0.2KV～1.5KV，濺射壓強為 1.0×10-2Pa～4.0×10-2Pa，生長溫度為室溫～400℃的條件下，在硅(Si) 基底材料上濺射沉積Ge/Si多層膜，得到島狀自組織生長的Ge量子點結構 的薄膜材料。 【當前權利人】云南大學 【當前專利權人地址】云南省昆明市呈貢區大學城東外環南路 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】125300004312032649 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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