【摘要】請求保護的外觀設計包含色彩。【專利類型】外觀設計【申請人】胡文娟【申請人類型】個人【申請人地址】201708上海市青浦區華徐公路4638弄438號【申請人地區】中國【申請人城市】上海市【申請人區縣】青浦區【申請號】CN2006300
【摘要】 一種硫化物輔助合成一維納米硅材料的方法，屬于納米材料技術領域。本發明步驟為：第一步，反應在帶有低真空系統的臥式石英管式爐中進行，將干凈的硅片置于管式爐中央，同時把硫單質或者含硫化合物置于石英管氣體通入的一側；第二步，首先升溫到900℃，之后升溫到反應溫度1050－1250℃。在溫度達到750℃時，通入惰性氣體；第三步，在反應溫度1050－1250℃下，保持腔內壓強4500Pa，反應持續進行，反應完后將反應產物取出，在硅片表面得到大量一維納米硅材料。本發明工藝簡單易行，成本低廉，對環境無污染，采用惰性氣體保護，無明顯易燃危險原料，氣體價格低廉；收率高，設備簡單，可以連續化操作，適于批量合成。 【專利類型】發明申請 【申請人】上海交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200240上海市閔行區東川路800號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】閔行區 【申請號】CN200610117576.1 【申請日】2006-10-26 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1944250A 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】C01B33/027; C01B33/00 【發明人】牛俊杰 【主權項內容】1、一種硫化物輔助合成一維納米硅材料的方法，其特征在于，采用IC工藝中常用的硅片作為反應襯底和硅源，用硫單質或含硫化和物作為反應前驅體，以惰性氣體為保護氣體及載氣，進行氧化還原反應，分解出的硫被載氣帶到硅片表面與硅片發生化學反應，生成SiS化合物；將溫度再升高，SiS升華并分解出Si和SiS2，從而成核并形成一維納米硅結構。 該數據由<馬克數據網>整理 【當前權利人】上海交通大學 【當前專利權人地址】上海市閔行區東川路800號 【統一社會信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數】5 【被他引次數】5.0 【家族被引證次數】5
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