【摘要】本外觀設計是紡織物圖案，省略后視圖。 單元圖案四方連續，無限定邊界。 請求保護的外觀設計包含色彩?！緦＠愋汀客庥^設計【申請人】上海嘉安床上用品有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】201106上海市閔行區北翟路3386號【申請人
【摘要】 本發明公開了一種單晶InP方形納米孔陣列的制備方法，屬于納米技術領域。本發明利用兩步化學刻蝕方法，包括電化學刻蝕過程和無電濕法刻蝕過程，首先為電化學刻蝕過程，包括InP單晶片樣品的準備、電拋光和多孔陣列刻蝕，其后為無電濕法刻蝕過程，包括濕法擇優腐蝕和超聲波清洗，最終獲得單晶InP方形納米孔陣列。利用本發明方法，實現了在Sn摻雜n型(100)面InP單晶樣品制備均勻有序的單晶InP方形納米孔陣列。 【專利類型】發明申請 【申請人】上海交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200240上海市閔行區東川路800號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】閔行區 【申請號】CN200610119251.7 【申請日】2006-12-07 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1986912A 【公開公告日】2007-06-27 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100415953C 【授權公告日】2008-09-03 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】C30B33/10; C30B33/00 【發明人】鄭茂俊; 曾安生; 馬荔; 沈文忠 【主權項內容】1、一種單晶InP方形納米孔陣列的制備方法，其特征在于，利用兩步化學刻 蝕方法，包括電化學刻蝕過程和無電濕法刻蝕過程： 首先為電化學刻蝕過程，包括InP單晶片樣品的準備、電拋光和多孔陣列刻 蝕； 然后為無電濕法刻蝕過程，包括濕法擇優腐蝕和超聲波清洗； 最終獲得單晶InP方形納米孔陣列。 【當前權利人】上海交通大學 【當前專利權人地址】上海市閔行區東川路800號 【統一社會信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數】2 【被他引次數】2.0 【家族引證次數】1.0 【家族被引證次數】2
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