【專利類型】外觀設計【申請人】上海朝華工具有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】201106上海市閔行區華漕鎮航宇路468號【申請人地區】中國【申請人城市】上海市【申請人區縣】閔行區【申請號】CN200630035795.6【申請日】20
【摘要】 一種熱蒸發法合成小直徑單晶SiC納米絲有序陣列的方法，屬于納米材料技術領域。本發明采用硅片作為反應襯底和硅源，以固態碳材料為前驅體，以ZnS粉末為輔助劑，以惰性氣體氬氣為保護氣體及載氣，進行氧化還原反應，從而在硅片上成核并生長成大量小直徑單晶有序排列的SiC納米絲陣列。本發明工藝簡單易行，成本低廉，對環境無污染，采用惰性氣體保護，無明顯易燃危險原料，氣體價格低廉；收率高，可以連續化操作。 【專利類型】發明申請 【申請人】上海交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200240上海市閔行區東川路800號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】閔行區 【申請號】CN200610148218.7 【申請日】2006-12-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101003912A 【公開公告日】2007-07-25 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100415952C 【授權公告日】2008-09-03 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】C30B29/36; C30B29/62; C30B25/00; C01B31/36; C30B29/10; C01B31/00; C30B29/00 【發明人】牛俊杰; 王健農 【主權項內容】1、一種熱蒸發法合成小直徑單晶SiC納米絲有序陣列的方法，其特征在于， 采用硅片作為反應襯底和硅源，以固態碳材料為前驅體，以ZnS粉末為輔助劑， 以惰性氣體氬氣為保護氣體及載氣，進行氧化還原反應，從而在硅片上成核并生 長成大量小直徑單晶有序排列的SiC納米絲陣列。 【當前權利人】上海交通大學 【當前專利權人地址】上海市閔行區東川路800號 【統一社會信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數】4 【被他引次數】4.0 【家族引證次數】2.0 【家族被引證次數】4
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