【摘要】本發明公開了一種硅太陽電池的結構，包括電池背電極、半導體硅襯底層和費米能級不同于半導體硅襯底層的半導體薄膜層，在半導體硅襯底層的材料受光面的表面制備有具有準一維納米晶體結構，這層納米晶體結構的孔隙被半導體薄膜層填充，兩者形成具有分離
【專利類型】外觀設計 【申請人】佳尼特(上海)純水設備有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】201103上海市閔行區閔北工業區4號街坊C地塊 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】閔行區 【申請號】CN200630041865.9 【申請日】2006-10-17 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3676478D 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3676478D 【授權公告日】2007-08-01 【授權公告年份】2007.0 【發明人】劉暢; 趙強 【主權項內容】無 【當前權利人】艾歐史密斯(上海)水處理產品有限公司 【當前專利權人地址】上海市閔行區七莘路2888號寶利大廈6樓 【專利權人類型】有限責任公司(自然人投資或控股) 【統一社會信用代碼】9131011259471531XB
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