【摘要】本發明公開了一種電阻分功率型單天線雷達前端，包括發射天線、接收天線和電路部分，所述電路部分為收發組件，其與中頻信號處理系統相連，包括壓控振蕩器、環行器、電阻、驅動放大器和混頻器；由壓控振蕩器輸出的發射信號，一小部分信號經電阻分配，再
【摘要】 本發明涉及一種高熱導Si3N4陶瓷的制備方法，其特征在于采用SPS低溫快速燒結技術，以氮化物作為燒結助劑制備高熱導氮化硅陶瓷的方法，屬于非氧化物陶瓷制備領域。本發明中高熱導Si3N4陶瓷是由α-Si3N4粉體和燒結助劑按100∶10～2的比例混合，采用SPS低溫快速燒結技術制備的。在制備過程中，將原料裝入石墨模具中，在10～100MPa、1500℃～1700℃、保溫時間3～30分鐘條件下SPS快速燒結。本發明制備的氮化硅陶瓷具備高的熱導率的同時仍可保持高的強度，其中熱導率可達120Wm-1K-1、三點抗折強度σb達750MPa以上。。百度搜索馬 克 數 據 網 【專利類型】發明授權 【申請人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市定西路1295號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN200610024154.X 【申請日】2006-02-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN100355701C 【公開公告日】2007-12-19 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100355701C 【授權公告日】2007-12-19 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】C04B35/584; C04B35/622 【發明人】彭桂花; 江國健; 李文蘭; 張寶林; 莊漢銳; 徐素英 【主權項內容】1.一種高熱導氮化硅陶瓷制備方法，其特征在于 (a)以α-Si3N4粉體和作為燒結助劑的氮化物粉體為起始原料，兩 者重量比為100∶10～2；所述的氮化物為MgSiN2、Mg3N2和 BeSiN2中任意一種，或它們的混合物； (b)將步驟(a)的含有燒結助劑的粉料均勻混合后，裝入石墨模 具中，在10～100MPa、1500～1700℃的條件下放電等離子 燒結； (c)燒結結束后隨爐冷卻至室溫。 來源：馬 克 數 據 網 【當前權利人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【當前專利權人地址】上海市定西路1295號 【統一社會信用代碼】12100000425006547H 【引證次數】3.0 【被引證次數】2 【自引次數】1.0 【他引次數】2.0 【被他引次數】2.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】18
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