【專利類型】外觀設計【申請人】上海泛太工藝品有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】200237上海市閔行區虹梅南路1568號【申請人地區】中國【申請人城市】上海市【申請人區縣】閔行區【申請號】CN200630040727.9【申請日】20
【摘要】 本發明涉及一種用于集成電路多層互連結構金 屬化學機械拋光(CMP)的拋光液原位批處理方法及所使用的裝 置。創新點在于利用電化學工作原理，將拋光產生的金屬離子 還原轉移達到去除的目的，同時恢復拋光液中氧化劑的功能。 所述的裝置是在傳統的單頭或多頭拋光系統中，增加拋光液原 位批處理系統和拋光盤的在線修復，使拋光速率和拋光過程均 勻性信息在線檢測，將現有拋光工序和拋光液原處理工序集為 一體。與現有拋光液一次性消耗工藝相比，不僅可以減少拋光 液的消耗，而且可以減少拋光液后處理所帶來的不便，是解決 集成電路化學機械拋光工藝高成本的一種有效方法和設備。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海微系統與信息技術研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區長寧路865號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN200610030551.8 【申請日】2006-08-30 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1915595A 【公開公告日】2007-02-21 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】B24B57/00; C25C1/00; B24B53/00 【發明人】張楷亮; 宋志棠; 封松林; 陳邦明 【主權項內容】1、一種用于集成電路多層互連結構金屬化學機械拋光的拋光液原位批處理的方法，其特征在于所述的批處理方法的步驟是： (1)將化學機械拋光過程產生的含有被拋光材料金屬離子的拋光液用電化學處理工藝將金屬離子轉化為金屬并沉積在陰極上，以去除拋光液中的金屬離子； (2)通過下述兩種方法中任意一種在步驟(1)的可溶性金屬離子去除同時，實現拋光液氧化能力的恢復，所述的兩種方法分別是電化學處理方法，使電路的陰極發生氧化反應，拋光液的氧化能力得到還原；或是向拋光液中補充氧化劑，所述的氧化劑為無金屬離子的過氧化氫、過氧化氫脲或過硫酸銨。 更多數據：www.macrodatas.cn 【當前權利人】中國科學院上海微系統與信息技術研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區長寧路865號 【統一社會信用代碼】12100000425006790C 【引證次數】4.0 【被引證次數】8 【他引次數】4.0 【被自引次數】1.0 【被他引次數】7.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】8
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