【摘要】高純砷的生產方法。涉及一種半導體基礎材料超高純α型砷的生產方法。本發明采用了以下幾個步驟：首先是將砷和鉛按1∶1.5～4的比例形成鉛砷合金；然后，通過將鉛砷合金在真空環境中通過加熱進行分離，制得純度為99.999％砷和鉛砷合金；再將
【摘要】 仰視圖無設計要點，省略仰視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】上海卡丹健身器材有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】201500上海市金山區朱涇鎮金楓公路100號4號樓104室 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】金山區 【申請號】CN200630040371.9 【申請日】2006-09-06 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3666113D 【公開公告日】2007-07-04 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3666113D 【授權公告日】2007-07-04 【授權公告年份】2007.0 【發明人】張仙平 【主權項內容】無 【當前權利人】上海卡丹健身器材有限公司 【當前專利權人地址】上海市金山區朱涇鎮金楓公路100號4號樓104室 【專利權人類型】有限責任公司 【統一社會信用代碼】913101167538278031
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