【摘要】本發明涉及一種Flash可復用模塊實現方法，該方法包括：建立子模塊的方式部分；自動識別是否存在需要構建的子模塊部分；對子模塊的控制部分；子模塊與父模塊、子模塊之間的通信部分；跨模塊通信部分。通過建立一個可復用的模塊架構，并基于該架構
【摘要】 本發明公開了一種甚長波碲鎘汞紅外焦平面探測器的抗反膜及制備方法，所述的抗反膜是置在光敏元列陣、信號引出電極區和公共電極區上的。置于光敏元列陣上的抗反膜是0.8－1.5微米厚的ZnS材料，置在信號引出電極區和公共電極區上的抗反膜是厚度在150～200的銦膜。所述制備方法的特征在于：在抗反膜銦膜形成后再對其進行氧等離子再處理，使銦膜的表面更光滑致密，使本身灰暗的銦更為暗淡，反射系數達到此材料的低極限水平。本發明的優點是能最大限度接收入射光的信號，提高了器件的光電效率。本發明特別適合大面積電極區的器件，如帶有井伸電極的碲鎘汞紅外光電導探測器。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海技術物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200083上海市玉田路500號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】虹口區 【申請號】CN200610031016.4 【申請日】2006-09-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1937233A 【公開公告日】2007-03-28 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100461435C 【授權公告日】2009-02-11 【授權公告年份】2009.0 【發明人】朱龍源; 龔海梅; 李向陽; 宋潤秋; 王妮麗; 劉詩嘉; 湯英文; 姜佩璐 【主權項內容】1.一種甚長波碲鎘汞紅外焦平面探測器的抗反膜，所述的甚長波碲鎘汞光 電導紅外焦平面探測器，包括：襯底(1)，通過環氧膠固定在襯底上的碲鎘汞 薄片(2)，通過常規的半導體器件集成工藝，在碲鎘汞薄片上形成的光敏元列 陣(3)及分別位于光敏元二側的信號引出電極區(4)和公共電極區(5)；所 述的抗反膜是置在光敏元列陣、信號引出電極區和公共電極區上的。 【當前權利人】中國科學院上海技術物理研究所 【當前專利權人地址】上海市玉田路500號 【統一社會信用代碼】12100000425005579K 【被引證次數】2 【被自引次數】2.0 【家族被引證次數】2
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