【摘要】本發明涉及的是一種半導體材料技術領域的量子邏輯器件的隧穿二極管制備方法。包括如下步驟:①用氣相外延方法生長單晶硅薄膜和用等離子增強化學氣相沉積方法生長硅量子點薄膜;②利用半導體量子輸運方法對硅量子點共振隧穿二極管器件的隧穿電流特性進
【摘要】 省略其他視圖。 主視圖1__主視圖2__主視圖3 【專利類型】外觀設計 【申請人】呂有凱 【申請人類型】個人 【申請人地址】561600貴州省盤縣特區人民醫院財會股 【申請人地區】中國 【申請人城市】六盤水市 【申請人區縣】盤州市 【申請號】CN91300961.X 【申請日】1991-04-26 【申請年份】1991 【公開公告號】CN3011762S 【公開公告日】1991-12-18 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN3011762S 【授權公告日】1991-12-18 【授權公告年份】1991.0 【發明人】呂有凱 【主權項內容】無 【當前權利人】呂有凱 【當前專利權人地址】貴州省盤縣特區人民醫院財會股
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