【摘要】本實用新型涉及電感式鎮流器結構的改進。其 主要特征是殼式鐵心的U形殼部和T形舌心相連處 形成一個圓弧形氣隙，采用計算機輔助設計，使整體 結構最合理、最經濟。采用本實用新型不需要增加設 備，不改變原工藝過程，不改變所使用的原材料，只要
【摘要】 含有一個p+區與n+區之間的耐壓區的半導體功 率器件，其特性是用包括有二種導電類型的材料相間 排列組成的復合緩沖層(CB層)的耐壓區代替了以 往的一種導電類型的耐壓區。本發明還提供了復合 緩沖層不同圖形的設計規范。采用本發明可以得到 性能優良的各類新結構的半導體功率器件。器件單 位面積的導通電阻與擊穿電壓的關系為Ron∝ VB1.3。所以采用本發明在改善導通電阻Ron(或正向 正降)與器件耐壓的矛盾方面有了重要突破。。詳見官網：www.macrodatas.cn 【專利類型】發明申請 【申請人】電子科技大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】610051四川省成都市建設北路二段四號 【申請人地區】中國 【申請人城市】成都市 【申請人區縣】郫都區 【申請號】CN91101845.X 【申請日】1991-03-19 【申請年份】1991 【公開公告號】CN1056018A 【公開公告日】1991-11-06 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1019720B 【授權公告日】1992-12-30 【授權公告年份】1992.0 【IPC分類號】H01L29/38; H01L29/78; H01L29/70; H01L29/06; H01L29/10; H01L29/73; H01L29/739; H01L29/861 【發明人】陳星弼 【主權項內容】1、半導體功率器件，它包括有一個P+區與n+區之間的耐壓區，其特征在于：所述的耐壓區中，在P+區相接的平面與n+區界面之間有由P區與n區交替組合而成的復合緩沖層，復合緩沖層中每個P區與每個n區均有與上述兩個面相交的交接面，除這兩個交接面外，復合緩沖層中的每個P區被相鄰的n區包圍，每個n區被相鄰的P區包圍。 來源：馬 克 數 據 網 【當前權利人】三維半導體股份有限公司 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】121000004507193117 【引證次數】1.0 【被引證次數】31.0 【他引次數】1.0 【被自引次數】3.0 【被他引次數】28.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】1151.0
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