【摘要】一種微電子技術領域的硅基多層螺旋差分電感。 本發明包括：襯底、六層二氧化硅層、六層金屬螺旋線圈、連 接通孔、金屬導體和端口，第一層二氧化硅層設置在硅襯底上， 六層金屬螺旋線圈分別對應設置在六層二氧化硅層上，端口與 第六層金屬螺旋圈處
【摘要】 左視圖與右視圖對稱，省略左視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】霍俊; 霍為東 【申請人類型】個人 【申請人地址】100038北京市復興門外大街20號樓1門1號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】西城區 【申請號】CN91300267.4 【申請日】1991-02-28 【申請年份】1991 【公開公告號】CN3010334S 【公開公告日】1991-08-07 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN3010334S 【授權公告日】1991-08-07 【授權公告年份】1991.0 【發明人】霍俊; 霍為東 【主權項內容】無 【當前權利人】霍俊; 霍為東 【當前專利權人地址】北京市復興門外大街20號樓1門1號;
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