【摘要】一種對物件方便的夾持、牢固的扳扭工具，它是 對現有活扳手的調節螺旋作了徹底改變，改變成彈簧 定位銷來控制活板嘴的移動定位錯動定位銷活板嘴 就能前后移動，彈簧定位銷與活板嘴定位口是嚴密配 合，所以使用調節方便對物件夾持牢固。【專利類型
【摘要】 本發明涉及一種光化學氣相淀積(光CVD)技 術。該技術采用紫外光汞敏化原理分解反應氣體，在 低于200℃條件下，通過硅烷(SiH4)-笑氣(N2O)及硅 烷(SiH4)-氨氣(NH3)混合氣體的光化學反應分別淀 積SiO2、SiN薄膜。與國外同類技術相比，具有薄膜 全面特性好，特別是薄膜介電強度高，應力小，腐蝕速 率低，淀積面積大，淀積均勻性好和光量子效率高等 優點。用本發明在低溫條件下淀積的SiO2、SiN介質 膜可對半導體器件進行表面鈍化，介質隔離和擴散掩 蔽。 【專利類型】發明申請 【申請人】西安電子科技大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】710071陜西省西安市太白路2號 【申請人地區】中國 【申請人城市】西安市 【申請人區縣】碑林區 【申請號】CN90101490.7 【申請日】1990-03-17 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1055014A 【公開公告日】1991-10-02 【公開公告年份】1991 【IPC分類號】C23C16/34; C23C16/40; C23C16/42 【發明人】孫建成 【主權項內容】1、一種低溫光化學氣相淀積二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)薄膜的技術，是采用紫外光汞敏化原理分解反應氣體，在低溫條件下通過混合氣體的光化學反應分別淀積二氧化硅(SiO2)及氮化硅(SiN)薄膜，其特征在于： a.淀積SiO2，SiN薄膜的工藝條件分別為： SiO2：淀積溫度：100-200℃ 淀積壓力：40-60 Pa 氣體流量：SiH4(高純，濃度5%，充氮)500ml/min， N2O(高純)750ml/min SiN：淀積溫度：150-200℃ 淀積壓力：40-50Pa 氣體流量：SiH4(高純，濃度5%，充氮)500ml/min NH3(電子純)780ml/min b.淀積SiO2及SiN薄膜的工藝過程是： 先將半導體芯片放在樣品臺上，再關閉反應室，抽真空至0.1Pa，同時加熱襯底到所需設定溫度，然后接通低壓汞燈進行光照，最后向反應室放入高純氮氣，待與大氣壓平衡后打開反應室取片，測量淀積薄膜的主要特性。 【當前權利人】西安電子科技大學 【當前專利權人地址】陜西省西安市太白路2號 【統一社會信用代碼】121000004352307294 【被引證次數】17.0 【被他引次數】17.0 【家族被引證次數】17.0
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