【專利類型】外觀設計【申請人】國營涪江機器廠【申請人類型】企業【申請人地址】621000四川省綿陽市躍進路16號【申請人地區】中國【申請人城市】綿陽市【申請人區縣】涪城區【申請號】CN90303864.1【申請日】1990-12-08【申請
【摘要】 本發明涉及與超導量子干涉器(SQUID)配用的 高Tc超導厚膜磁通變換器，主要包括：襯底、高Tc 超導厚膜螺旋線圈，厚膜回線和中間絕緣層，所用超 導材料是Y系或Bi系氧化物，襯底用ZrO， Al2O2，SiTi3O或MgO材料，中間絕緣層采用 Y2BaCuO，BaCuO，ZrO，Al2O3，SrTi3O，PrBa2Cu3O或 MgO材料，螺線與回線之間可以通過不同方式構成 閉合回路，所述的變換器與SQUID配用可提高磁場 測量靈敏度，適用于醫學工程以及計量、地質、生物等 技術領域。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京有色金屬研究總院 【申請人類型】企業 【申請人地址】100088北京市新街口外大街2號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】西城區 【申請號】CN90103774.5 【申請日】1990-05-28 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1056936A 【公開公告日】1991-12-11 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1028307C 【授權公告日】1995-04-26 【授權公告年份】1995.0 【IPC分類號】G01R33/035 【發明人】李漢青; 林安中 【主權項內容】1、一種高Tc超導厚膜磁通變換器，它是輸入線圈、探測線圈、以及回線組成的閉合回路，其特征在于： (1)所說的輸入線圈和探測線圈由襯底及與之牢固結合的超導厚膜螺旋線圈組成，線圈間由回線連接成閉合回路， (2)所說的襯底是用各種絕緣陶瓷制成的不同截面形狀的棒材和管材中的一種， (3)所說的超導厚膜螺旋線圈和超導厚膜回線之間互相絕緣，它們可以在襯底的同側，也可以分別在襯底的兩側。 【當前權利人】北京有色金屬研究總院 【當前專利權人地址】北京市新街口外大街2號
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