【專利類型】外觀設計【申請人】葉炳霖【申請人類型】個人【申請人地址】臺灣省【申請人地區】中國【申請人城市】臺灣省【申請號】CN90300648.0【申請日】1990-04-23【申請年份】1990【公開公告號】CN3007680S【公開公告
【摘要】 本實用新型設計了一種特別適合制備GaSb單 晶體用的坩堝。這種坩堝由坩堝主體和過濾器組 成。過濾器的底部有若干小孔，端部有掛把，在使用 中可方便地將過濾器放入主體內及從主體內提起取 出。為了提高過濾的效果，還可在過濾器的底部加設 濾體。使用這類坩堝可方便地去除熔體表面的浮渣， 從而制成優質的單晶體。 【專利類型】實用新型 【申請人】北京有色金屬研究總院 【申請人類型】企業 【申請人地址】北京市新街口外大街2號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】西城區 【申請號】CN90200356.9 【申請日】1990-01-15 【申請年份】1990 【公開公告號】CN2068513U 【公開公告日】1991-01-02 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN2068513U 【授權公告日】1991-01-02 【授權公告年份】1991.0 【IPC分類號】C30B15/10; C30B29/40; C30B29/10 【發明人】鄧志杰; 武希康; 鄭安生; 屠海令 【主權項內容】1、一種由坩堝主體組成的單晶生長用的坩堝，其特征是所說的坩堝還包括一個放置在主體內的過濾器，過濾器的底部有直徑為2-5毫米的小孔，過濾器的上部有掛把。 馬 克 數 據 網 【當前權利人】北京有色金屬研究總院 【當前專利權人地址】北京市新街口外大街2號 【被引證次數】8.0 【被他引次數】8.0 【家族被引證次數】8.0
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