【摘要】本實用新型是一種套裝旅游餐具，涉及餐桌用具 領域。本實用新型結構是特制一個餐具夾子，夾子左右 兩頁各設四個囊袋，用來裝勺頭，叉頭和筷子、叉頭、 勺頭、筷子頭各連接一段短把，套把是統一構造能通 用的可以和勺頭、叉頭、筷子頭任一種插接可
【摘要】 本發明為高臨界溫度(90K)超導薄膜制備方法。采用超高真空系統，單個化合物靶，高氣壓低電壓直流磁控濺射、原位外延生長、原位低溫熱處理制備工藝，用于制備MBa2Cu3O7型高臨界溫度氧化物超導薄膜(M＝Y，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb)。零電阻臨界溫度高達92.7K，77K臨界電流密度高達3.6MA/cm2。這種薄膜可用于制備在液氮溫度下工作的超導電子器件和超導體-半導體混合電子器件。 【專利類型】發明授權 【申請人】中國科學院物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市603信箱 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN90101675.6 【申請日】1990-03-28 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1015034B 【公開公告日】1991-12-04 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1015034B 【授權公告日】1991-12-04 【授權公告年份】1991.0 【IPC分類號】H01B12/06; H01L39/24; H01L39/12 【發明人】王瑞蘭; 李宏成; 易懷仁 【主權項內容】1.一種高臨界溫度超導薄膜的制備方法，只使用一個燒結的圓盤形化合物 靶，基片可采用單晶片或多晶片，按一定條件進行直流磁控濺射、熱處 理的制備工藝，其特征是： a.外延生長薄膜條件： Ar，O2混合氣體以30°-80°角吹向基片平面， 基片溫度在700-850℃間， 濺射電壓100-150V， 電流在0.3-1A之間， 薄膜生長速率為3-10nm/min。 b、低溫原位熱處理條件： 薄膜生長完成后，真空室內充以5-100千帕的氧氣， 同時基片溫度降到380-500℃間，保持3-30分鐘。 （更多數據，詳見馬克數據網） 【當前權利人】中國科學院物理研究所 【當前專利權人地址】北京市603信箱 【統一社會信用代碼】12100000400012174C 【引證次數】4.0 【自引次數】2.0 【他引次數】2.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】4.0
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