【摘要】發(fā)光二極管集成矩陣組件及制法，屬半導(dǎo)體電光 集成器件及其制備方法，本發(fā)明以發(fā)光材料 GaAs(P)GaAs(N)與本征GaAs : Zn疊層復(fù)合，以空 間隔離溝和P-N結(jié)隔離技術(shù)形成發(fā)光矩陣芯片再 與黑瓷厚膜電路基座組成為組件，可用
【摘要】 省略俯視圖、仰視圖、左視圖。 【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請人】北京市醫(yī)藥保健品進(jìn)出口公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】100013北京市朝陽區(qū)和平里小黃莊北街2號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N90303720.3 【申請日】1990-12-15 【申請年份】1990 【公開公告號】CN3010177S 【公開公告日】1991-07-24 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN3010177S 【授權(quán)公告日】1991-07-24 【授權(quán)公告年份】1991.0 【發(fā)明人】秦祖烔 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】北京市醫(yī)藥保健品進(jìn)出口公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市朝陽區(qū)和平里小黃莊北街2號 【專利權(quán)人類型】全民所有制
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