【摘要】本實用新型屬高分子溶脹體的加工裝置。由氣 閥，擠出容器和成型管等組成。成型管可配置不同直 徑大小。由于本裝置使用氣壓擠出高分子溶脹體，物 料的流速易于控制，得到的線體均勻表面光潔，避免 了金屬銹質，機油等物質對物料的污染，特別適用于
【摘要】 本發明屬于紅外熱釋電材料。TGFb單晶體是一種優良的熱釋電材料，但在育 晶時其晶體難于生成。本發明使用HBF4部分取代 TGFb中的H2BeF4合成出新型TGFbFb熱釋電材 料。采用本法易于生長出大尺寸的完整晶形的晶體； 本材料的熱釋電系數(P)比TGFb單晶體的P值提 高20％，優值比(P/ε)＞1.93×10-9(庫/厘米2·度)， 居里溫度＞72℃；TGFbFb單晶可用于制作紅外器 件，其靈敏度比TGFb高，且使用的溫度范圍寬。 【專利類型】發明申請 【申請人】南開大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】天津市衛津路94號 【申請人地區】中國 【申請人城市】天津市 【申請人區縣】南開區 【申請號】CN89106608.X 【申請日】1989-08-24 【申請年份】1989 【公開公告號】CN1049690A 【公開公告日】1991-03-06 【公開公告年份】1991 【IPC分類號】C30B29/54; C30B7/08; H01L37/02; C30B7/00; H01L37/00 【發明人】鄭吉民; 車云霞; 申泮文 【主權項內容】1、一種用于紅外傳感器、熱顯象管、遙感遙控儀和紅外探測器等器件的熱釋電材料TGFbFb[結構式為(NH2CH2COOH)3，(1-X)H2BeF4·XHBF4，其中X=0.01-0.90]的制備方法，其特征在于它是用部分的氟硼酸(HBF4)取代TGFb熱釋電材料[結構式為(NH2CH2COOH)3·H2BeF4]中部分的H2BeF4，其制備方法是把甘氨酸溶于去離子水中(Ⅰ)，再把H2BeF4和HBF4混勻(Ⅱ)，然后把(Ⅰ)和(Ⅱ)緩慢倒入育晶瓶中，把育晶瓶置于恒溫槽中經高于飽和點10-15C加熱處理后，在70℃以下緩慢降溫至飽和點生成晶體，上述三種主要原料的摩爾比為NH2CH2COOH∶H2BeF4∶HBF4=3∶(1-X)∶X(X=0.01-0.90)。 【當前權利人】南開大學 【當前專利權人地址】天津市衛津路94號 【統一社會信用代碼】121000004013593721
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